特許

J-GLOBAL ID：200903029279185599

スパツタリング装置

発明者： 金 京植 ,  細川 直吉
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117851
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリング装置で、ターゲットの不均一イオン衝撃による問題を解決し、比較的に大型の矩形基板に、並進移送方式ではなく静止状態で薄膜形成を行うことができる電極構造を有し、小型化を達成する。特に矩形ターゲットのエッジ部と中心部との間の不均一性消耗による不経済性、基板における薄膜の不均質性、パーティクルの発生の問題を解決する。【構成】 マグネトロンカソード電極に、磁極の配置が互いに反対である第1及び第2の2種類の磁石ユニットを交互に隣接させて配置した磁石組立体を、往復運動を行う如く移動自在に設け、ターゲットの面に第1及び第2の磁石ユニットによって、ドリフト電子の運動方向が反対である2種類の環状軌跡を交互に隣接して形成する。更に、各磁石ユニットで形成される矩形環状の電子ドリフト運動軌跡の矩形部の形成位置が相互にずれるように、磁石ユニットの長辺部の長さを相互に異ならせる又は磁石ユニットの位置をずらすように構成される。

請求項（抜粋）：

内部を真空状態にする排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に位置し、成膜処理される基板を取付けた基板保持部材と、前記基板に膜を形成する矩形平面状ターゲットを備えたマグネトロンカソード電極と、前記真空容器にガスを流通させて内部圧力を適切に維持するガス制御系と、前記マグネトロンカソード電極に電力を供給する電源系とを含むスパッタリング装置において、前記マグネトロンカソード電極は、磁極の配置関係が互いに反対である第1及び第2の2種類の磁石ユニットを交互に隣接させて複数配置し且つ複数の前記磁石ユニットの辺部の長さを互いに異ならせた磁石組立体と、この磁石組立体を前記ターゲットに沿って往復運動させる移動機構とを備え、複数の前記磁石ユニットはそれぞれ前記ターゲットの面上に電磁界の電子拘束作用に基づき矩形環状の電子ドリフト運動軌跡を作り、これらの複数の電子ドリフト運動軌跡の寸法が互いに異なることを特徴とするスパッタリング装置。