特許
J-GLOBAL ID：200903029282367649
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075948
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308049
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィー技術を用いるパターン形成方法に関し、露光光としてi線やKrFエキシマレーザを使用する場合に、露光光の被加工体の表面からの反射を防止して、精度よく容易にパターニングを行うことができるパターン形成方法を提供する。【構成】 被加工体1の上に、例えば、アセチレンガスを原料とするCVDによって厚さ100Å〜1000Åの非晶質カーボン膜2を形成し、その上に感光性膜(フォトレジスト膜)3を形成し、この感光性膜3をi線やKrFエキシマレーザを光源とし露光マスクを用いて選択的に露光し、現像して、耐エッチング性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、非晶質カーボン膜2を選択的にエッチングし、この耐エッチング性のレジストパターンと非晶質カーボン膜をマスクにして被加工体を選択的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
被加工体上に非晶質カーボン膜を形成する工程と、該非晶質カーボン膜の上に感光性膜を形成する工程と、該感光性膜を選択的に露光し現像して耐エッチング性のレジストパターンを形成する工程と、該耐エッチング性のレジストパターンをマスクにして該非晶質カーボン膜を選択的にエッチングする工程と、該耐エッチング性のレジストパターンと非晶質カーボン膜のパターンをマスクにして該被加工体を選択的にエッチングする工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
引用特許：
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