特許

J-GLOBAL ID：200903029283704983

気相成長装置

発明者： 小松 伸壽 ,  佐藤 栄治 ,  近藤 知美 ,  國友 正人
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336082
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153485
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 ヒータの使用寿命が長く、膜厚分布が均一な成膜を行うことができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガス吹出用のガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有する気相成長装置において、前記サセプタは石英フードの上面に配置され、該石英フード内にヒータが収納されており、前記サセプタは内側サセプタと外側サセプタとからなり、該外側サセプタは上下に複数個に分割されており、外側サセプタと内側サセプタとの間には隙間が存在する気相成長装置。隙間は0.5mm〜1.5mmの範囲内であり、ガスヘッドとサセプタとの間の間隔は100mmである。

請求項（抜粋）：

反応炉を有し、該反応炉内に、反応ガス吹出用のガスヘッドと、該ガスヘッドと対峙して上面に基板が載置されるサセプタを有する気相成長装置において、前記サセプタは石英フードの上面に配置され、該石英フード内にヒータが収納されており、前記サセプタは内側サセプタと外側サセプタとからなり、該外側サセプタは上下に複数個に分割されており、外側サセプタと内側サセプタとの間には隙間が存在することを特徴とする気相成長装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/205