特許

J-GLOBAL ID：200903029283711084

エピタキシャル成長層の表面粗さの評価方法及びその装置、エピタキシャル成長層の反射率測定方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法

発明者： 山縣 秀夫 ,  野口 隆 ,  橋詰 哲志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313330
公開番号（公開出願番号）：特開平11-148812
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 シリコンエピタキシャル成長層の表面粗さを簡便に評価して定量化することのできる、エピタキシャル成長層の表面粗さの評価方法及びその装置、エピタキシャル成長層の反射率測定方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 試料としてのエピタキシャル成長層について、紫外分光光度計を用いた波長200nmにおける試料表面の紫外線反射率Rと、原子間力顕微鏡による上記試料の表面粗さとの間で予め所定の相関式(表面粗さ-反射率の変化直線)を求め、この相関式に対して以後の被測定物は紫外線反射率Rのみを測定してこの測定値を代入することにより、表面粗さを求める。

請求項（抜粋）：

基体上に形成したエピタキシャル成長層の表面粗さを評価するに際し、前記エピタキシャル成長層の表面に短波長の紫外線を入射させてその反射率を測定し、この反射率の測定値と前記エピタキシャル成長層の表面粗さとの相関を求める、エピタキシャル成長層の表面粗さの評価方法。

IPC (3件)：

G01B 11/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/30 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66 P