特許

J-GLOBAL ID：200903029283956621

散乱ステンシル型レチクルの修正方法

発明者： 清水 澄人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031026
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232047
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 電子線散乱能が高く、比較的電子線を吸収しないレチクルを得ることができる散乱ステンシル型レチクルの修正方法を提供する。【解決手段】 あらかじめ容器1内で電子線散乱体を構成する複数のガスを混合し、容器1から配管2を介して真空チャンバ4の基板7近傍に混合ガスを供給する。このとき、混合ガスの流量は配管2に設置されたマスフローコントローラ(MFC)3により調節される。そして、この混合ガス供給領域に真空チャンバ4の頂部に設置したビーム源5から収束イオンビームを照射する。

請求項（抜粋）：

電子線散乱体で構成されたパターン転写部を有し、被転写基板に縮小投影転写像を転写する際に使用されるレチクル作製の際に発生した欠陥を修正する方法であって、電子線散乱体を構成する複数のガス状物質を所望の混合比で混合した状態で前記欠陥部に供給し、収束イオンビーム、電子線、及び極微小プラズマのうちいずれかの励起源を用いて前記欠陥部に選択的に成膜することを特徴とする散乱ステンシル型レチクルの修正方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B

Fターム (6件)：

2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BD35 ,  5F056AA06 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05