特許
J-GLOBAL ID:200903029285070396
固体撮像装置およびその駆動方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-221389
公開番号(公開出願番号):特開2002-043559
出願日: 2000年07月21日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】 小型で高解像度のCCD型固体撮像装置を製造しようとすると、特に水平電荷転送電極を形成するための製造コストが上昇し、また、出力転送路の消費電力が増大する。【解決手段】 行列状に配設された多数個の光電変換素子、所定本数の垂直電荷転送チャネルおよび所定本数の垂直電荷転送電極が形成されている領域と、その外側に形成された出力転送路との間の半導体基板表面の上方に、一方が光電変換素子行方向に延在して奇数番目の垂直電荷転送チャネルを平面視上覆う箇所それぞれにおいて第1種の選択的電荷転送段を構成し、他方が光電変換素子行方向に延在して偶数番目の垂直電荷転送チャネルを平面視上覆う箇所それぞれにおいて第2種の選択的電荷転送段を構成する第1および第2の転送制御電極を設ける。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板の一表面側に設定された感光領域内に複数行、複数列に亘って行列状に形成された多数個の光電変換素子と、前記半導体基板における前記感光領域の外側に形成された出力転送路と、光電変換素子列の各々に近接して1本ずつ前記半導体基板に形成された垂直電荷転送チャネルであって、各々が、対応する光電変換素子列に沿って前記感光領域を横切って前記出力転送路に接続される垂直電荷転送チャネルと、前記半導体基板の表面上に電気的絶縁膜を介して形成され、光電変換素子列方向に並存すると共に光電変換素子行方向に延在する多数本の垂直電荷転送電極であって、各々が、前記垂直電荷転送チャネルそれぞれの一領域を平面視上覆って垂直電荷転送段を構成する多数本の垂直電荷転送電極と、前記垂直電荷転送段と前記出力転送路との間の垂直電荷転送チャネルそれぞれの上方を電気的絶縁膜を介して覆い、選択的に電圧を印加することのできる第1および第2の転送制御電極であって、一方が奇数番目の垂直電荷転送チャネルを平面視上覆う箇所それぞれにおいて第1種の選択的電荷転送段を構成し、他方が偶数番目の垂直電荷転送チャネルを平面視上覆う箇所それぞれにおいて第2種の選択的電荷転送段を構成する第1および第2の転送制御電極とを備えた固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H04N 5/335 F
, H04N 5/335 U
, H01L 27/14 B
Fターム (29件):
4M118AA04
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118CA19
, 4M118DA02
, 4M118DA13
, 4M118DB03
, 4M118DB06
, 4M118DB08
, 4M118DD12
, 4M118DD20
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA35
, 4M118GB03
, 4M118GB08
, 4M118GB11
, 4M118GB17
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024CX37
, 5C024CY47
, 5C024GY01
, 5C024GY04
, 5C024GY23
, 5C024GZ41
引用特許:
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