特許
J-GLOBAL ID：200903029292977887
半導体製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021012
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,半導体製造工程におけるウェハー温度の制御技術に関し,工程中におけるウェハーの温度をインプロセスで測定することが可能で, しかも不純物による装置の汚染が生じることがない,ウェハー温度の測定及び制御方法,並びにその装置を提供することをを目的とする。【構成】 ウェハー上にレジスト膜を形成する工程と,処理工程における該ウェハー上の,該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定する工程とを有するように,又,レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定する赤外線温度計出力を,ウェハー温度制御機構にフィードバックする工程を有するように構成し,並びに 処理工程におけるウェハー上のレジスト膜温度測定装置と,該温度測定装置の出力によって, ウェハー温度を制御する温度制御ユニットと該温度制御ユニットによって制御されるウェハー温度制御機構とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハー処理工程におけるインプロセスのウェハー温度を測定するウェハー温度測定方法において,半導体ウェハー上にレジスト膜を形成する工程と,該レジスト膜に固有の赤外吸収スペクトル線強度を測定する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハー温度測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, G01J 5/00
, H01L 21/66
