特許
J-GLOBAL ID：200903029294316144
半導体装置および半導体装置におけるコンタクトホール形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283609
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置におけるコンタクトホールをほぼ設計寸法どおりに形成する。【構成】 半導体基板1の主表面に形成された不純物領域5上に、多結晶シリコンパッド6,絶縁膜7,多結晶シリコン層8をそれぞれ形成する。この多結晶シリコン層8を覆うように層間絶縁膜3を形成する。この層間絶縁膜3上にマスク層20を形成する。このマスク層20をマスクとして用いて層間絶縁膜3をエッチングし、多結晶シリコン層8の一部表面を露出させる。露出した多結晶シリコン層8およびマスク層20を同時にエッチング除去することによって、絶縁膜7の一部表面を露出させる。この露出した絶縁膜7の一部表面をエッチングすることによって多結晶シリコンパッド6の一部表面を露出させる。それにより、コンタクトホール22を形成する。その後、アルミニウム配線層9を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電層と、前記第1導電層を覆い、前記第1導電層上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記第1導電層と電気的に接続される第2導電層と、を有する半導体装置におけるコンタクトホール形成方法であって、前記半導体基板上に前記第1導電層を形成する工程と、前記第1導電層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記層間絶縁膜に対するエッチング選択比が7以上であり、前記層間絶縁膜のエッチング終点検出に用いられるエッチング終点検出用膜を形成する工程と、前記エッチング終点検出用膜を覆うように前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記エッチング終点検出用膜と同じ材質からなるマスク層を形成する工程と、前記マスク層をパターニングすることによって、前記コンタクトホール形成位置における前記層間絶縁膜を露出させる工程と、前記マスク層をマスクとして用いて、前記層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記エッチング終点検出用膜の一部表面を露出させる工程と、露出した前記エッチング終点検出用膜と前記マスク層とを同時に除去することによって、前記層間絶縁膜の上面および前記絶縁膜の一部表面を露出させる工程と、露出した前記絶縁膜の一部表面をエッチングすることによって、前記第1導電層の一部表面を露出させる工程と、前記層間絶縁膜上に前記第2導電層を形成する工程と、を備えた半導体装置におけるコンタクトホール形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/302
