特許
J-GLOBAL ID：200903029298846474
半導体装置の製造方法、半導体装置の特性評価装置、半導体装置の特性評価方法、及び、半導体装置の特性評価プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099536
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003987
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 所定の精度を満たす半導体装置の特性を高速かつ安定して得ることにより、設計工期を短縮し、半導体装置の製造期間を短縮することである。【解決手段】 前記半導体装置の任意の点Iと点Jとを結んだ線分IJの電子電流密度JEIJを次式(102a)により算出し(S104)、前記線分IJの正孔電流密度JHIJを次式(102b)により算出し(S105)、この算出した電子電流密度、及び、正孔電流密度を用いて、半導体装置の特性を評価する。【数1】JEIJ=-E*FEIJ*(A((ΨJ-ΨI)/NVE)*NI-A(-(ΨJ-ΨI)/NVE)*NJ)...式(102a)JHIJ=E*FHIJ*(A((ΨJ-ΨI)/NVH)*PI-A((-ΨJ+ΨI)/NVH)*PJ)...式(102b)
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の設計を行い、前記設計された半導体装置をコンピュータシステムの挙動によって模擬することにより、その模擬された半導体装置の任意の点Iと点Jとを結んだ線分IJの電子及び/又は正孔の電流密度JIJを次式により算出することで半導体装置の特性を評価し、【数1】 JIJ=CH*FIJ*(A((ΨJ-ΨI)/NV)*CCI-A((-ΨJ+ΨI)/NV)*CCJ)...式(102)この評価を行った前記半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。但し、【数2】A(X)=1/(exp(X)+1) ...式(100)であり、FIJは、前記点Iと前記点Jの電位差ΨIJが、|ΨIJ|→∞ ...式(101)において有界な関数で定義される電子又は正孔の電流密度の比例係数であり、CHは、電子の場合には-E(Eは電荷素量)、正孔の場合にはEであり、NV=k*T/CHであり、kはボルツマン定数であり、Tは温度であり、ΨJは、上記点Jでの電位であり、ΨIは、上記点Iでの電位であり、CCIは、上記点Iでの、電子電流密度の場合には電子濃度、正孔電流密度の場合には正孔濃度であり、CCJは、上記点Jでの、電子電流密度の場合には電子濃度、正孔電流密度の場合には正孔濃度である。
IPC (3件)：
H01L 29/00
, G06F 17/50
, H01L 21/02
H01L 29/00
, H01L 21/02 Z
, G06F 15/60 666 S
