SiO2 膜のエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098895
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275392
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】[目的]低損傷で汚染がなく高選択比のSiO2 膜エッチング方法を提供する。[構成]NF3 ガスとH2 ガスとの混合ガスを所定の混合比(たとえば1:160)、所定の圧力で供給し、活性種による自発性エッチングを停止させる。配管32の途中でプラズマで励起して活性種を生成し、生成した活性種をダウンストリームでサセプタ12上のウエハ14に供給する。一方、ウエハ14を約-100 ゚Cまで冷却する。この状態で、Arガスを配管34に送り込み、配管途中でArの不活性プラズマを生成せしめ、その不活性プラズマないし低エネルギ(たとえば20eV)イオンをウエハ14に一定時間たとえば10秒だけ照射する。また、NF3 ガスおよびH2 ガスを、所定の混合比(たとえば、1:160)圧力で供給し、サセプタ近傍で生成したプラズマあるいはそこからのイオンをウエハに照射する。ただし、ウエハを約-100 ゚Cまで冷却する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のSiO2 膜をエッチングする方法において、真空容器内の載置台の上に半導体基板を載置し、前記半導体基板を常温以下に冷却した状態で、フッ素を含む第1のガス、水素を含む第2のガスおよび窒素を含む第3のガスの中のいずれか1種類のガスまたは2種類のガスの混合ガスもしくは3種類のガスの混合ガスをプラズマまたは光で励起して得られる活性種を前記半導体基板に供給することを特徴とするSiO2 膜のエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-036825
特開平3-276719
特開平2-256235

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