特許
J-GLOBAL ID：200903029307399737
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279437
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121727
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】半導体素子において、微細化しても低抵抗であり、かつ製造工程が簡易なコンタクコの構造及びその製造方法を提供する。【構成】配線構造が上層からアルミニウム系配線材料膜108,アルミニウム-シリコン合金膜107,バリアメタル膜104であり、コンタクト部はアルミニウム-シリコン合金膜107で埋め込まれている。このアルミニウム-シリコン合金膜107は、まず多結晶シリコンでコンタクト孔を埋め込み、次にアルミニウム膜を形成し、400°C〜500°Cの熱処理によって合金化して形成する。多結晶シリコンで埋め込む場合に比べ、高温の熱処理が不要のため、トランジスタ等の素子に及ばす影響が少なく、また熱処理が低温のため、バリアメタルを使用して埋込コンタクトを形成できるため、微細化しても低抵抗で、かつ、製造工程も簡単化できる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの所定の導電領域を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の前記導電領域上に開口されたコンタクト孔と、前記コンタクト孔部で前記導電領域と接触して前記絶縁膜に被着されたバリアメタル膜と、前記コンタクト孔を前記バリアメタル膜を介して埋め込んで形成されたアルミニウム-シリコン合金膜および前記アルミニウム-シリコン合金膜を被覆するアルミニウム系配線材料膜からなる上層配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/46
, H01L 21/3205
H01L 21/88 T
, H01L 21/88 N
