特許

J-GLOBAL ID：200903029311838834

窒化ケイ素材のCVD合成

発明者： トッド,マイケル・エー
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131880
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358139
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 マイクロエレクトロニクス製造において使用に,より好適なよりよい性質の,低水素量の窒化ケイ素材の生成のためのプロセスを提供する。【解決手段】低水素量の窒化ケイ素材が,種々のCVDおよびPECVDにより,ケイ素原子,窒素原子,または両方を含む化学前駆体を使用して付着される。好適な化学前駆体が一つ以上のN-Si結合を含む。他の好適な化学前駆体が,9.5重量%以下の水素を含むSiを含む化学前駆体と,Nを含む化学前駆体との混合物である。好適な実施例が,PECVDにより付着された窒化ケイ素材のハロゲン量を最小にするために水素源を使用する。

請求項（抜粋）：

蒸気相の前駆体から窒化ケイ素材を,基板に付着するプロセスであって,基板が配置される付着チェンバーを与えることと,熱分解により,前記基板上に窒化ケイ素材を付着するために,一つ以上のN-Si化学結合を含む化学前駆体を,前記チェンバーに導入することと,を含むプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C01B 21/068 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C01B 21/068 Y ,  C23C 16/42

Fターム (15件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30