特許

J-GLOBAL ID：200903029312295699

薄膜EL素子の製造方法

発明者： 内海 誠
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002587
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199675
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】ガラス基板上に透明電極、第一絶縁層、カルシウムチオガレートからなる発光層、第二絶縁層、第二電極を順次積層した薄膜EL素子の、簡易で、良質の素子が得られる製造方法を提供する。【解決手段】カルシウムチオガレート層をスパッタ法により堆積した後、毎秒0.25〜50°Cの昇温速度により、800を超え900°C以下の到達温度で、保持時間1〜15分間の熱処理、毎秒0.25〜5°Cの昇温速度により、650°Cを超え800°C以下の到達温度で、保持時間1〜60分間の熱処理または、毎秒0.25〜5°Cの昇温速度により、600°C〜650°Cの到達温度で、保持時間1〜60分間の熱処理をおこなう。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に透明電極、第一絶縁層、カルシウムチオガレートからなる発光層、第二絶縁層、第二電極を順次積層した薄膜EL素子の製造方法において、カルシウムチオガレート層をスパッタ法により堆積した後、毎秒0.25〜50°Cの昇温速度により、800°Cを越え900°C以下の到達温度で、保持時間1〜15分間の熱処理をおこなうことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。

IPC (6件)：

H05B 33/10 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/62 CPC ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/20

FI (6件)：

H05B 33/10 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/02 A ,  C09K 11/62 CPC ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/20