特許

J-GLOBAL ID：200903029313134168

有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法

発明者： 澤 谷 巧
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022891
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 EL素子から素子外部への放熱速度を向上させ、有機EL層で発生した熱による発光特性の劣化を抑制し、表示素子の長寿命化させる。【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス表示素子1は、少なくともガラス,プラスチック,セラミックのうちの1つより構成されると共に複数の電極3が設けられた基板2と、この基板2上に積層された有機エレクトロルミネッセンス層4と、基板2との間で有機エレクトロルミネッセンス層4を挟んで対向して設けられた上部電極5と、上部電極5との間で封止空間6を介して封止剤7により基板2に対して封止された封止基板8と、を備える有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、上部電極5の前記封止基板と対向する表面5aに成膜・加工により突出形成されると共にこの突出側壁の表面積により前記有機エレクトロルミネッセンス層4より生じた熱を放出させる放熱部10を備える。

請求項（抜粋）：

少なくともガラス,プラスチック,セラミックのうちの1つより構成されると共に複数の電極が設けられた基板と、この基板上に積層された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記基板との間で前記有機エレクトロルミネッセンス層を挟んで対向して設けられた上部電極と、前記上部電極との間で封止空間を介して封止剤により前記基板に対して封止された封止基板と、を備える有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、前記上部電極の前記封止基板と対向する表面に成膜・加工により突出形成されると共にこの突出側壁の表面積により前記有機エレクトロルミネッセンス層より生じた熱を放出させる放熱部を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子。

IPC (4件)：

H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (13件)：

3K007AB14 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007BB04 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01