特許
J-GLOBAL ID：200903029317809542
半導体ウエハの位置認識方法およびそれに使用される半導体ウエハ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-290789
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120322
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの位置を誤認なく認識する。【構成】 ダイシングするに際して、予め、ウエハ20の表面外周部における非取得領域に4個の認識用ターゲット23、24、25、26を、ウエハ20の略中心を通るXY軸上にそれぞれ2個ずつ配置して形成しておく。ダイシングする際、ターゲット23、24、25、26を顕微鏡の位置合わせ点Oにて検出する。検出された各ターゲットの位置と顕微鏡の位置合わせ点Oとの相対位置関係によって、ウエハ20の基準位置を認識する。【効果】 ウエハ20の認識用ターゲット23、24、25、26は明確に検出できるので、ウエハ20の基準位置の誤認識がなくなり、ウエハ位置を正確に認識できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面に形成された形態を光学的検出手段によって検出し、この検出された形態の位置と検出手段の原点との相対位置関係に基づいて半導体ウエハの位置を認識する半導体ウエハの位置認識方法において、前記半導体ウエハの表面のダイシングラインに平行をなしている直交座標軸上に、認識用ターゲットをそれぞれ少なくとも2個ずつ、予め形成しておき、この認識用ターゲットを光学的検出手段によって検出し、この検出されたターゲットの位置と検出手段の原点との相対位置関係に基づいて前記半導体ウエハの位置を認識することを特徴とする半導体ウエハの位置認識方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, G01B 11/00
, H01L 21/78
