特許

J-GLOBAL ID：200903029317853878

電子線露光方法、並びにこれに用いるマスク及び電子線露光装置

発明者： 山下 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296886
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118777
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 ゴースト法による近接効果補正をパターン露光と同時に行う散乱角制限方式電子線露光方法において、パターン密度に応じて補助露光量を調整することにより、コントラストを増大させ、解像度を向上し、露光量マージンを大きくすることにある。【解決手段】 散乱領域を有するマスクを用い、マスクにより散乱される散乱電子の通過量を制限アパチャにより制御し、マスクを通過した電子線の散乱角の違いによる散乱コントラストによりパターン露光を行う散乱角制限方式の電子線露光方法において、パターン密度に応じてマスクの散乱領域の厚さを変えて散乱電子の散乱角を制御することによって制限アパチャを通過する散乱電子量を調整し、制限アパチャを通過した散乱電子の補助露光によりパターン露光と同時に近接効果補正を行う。

請求項（抜粋）：

散乱領域を有するマスクを用い、該マスクにより散乱される散乱電子の通過量を制限アパチャにより制御し、該マスクを通過した電子線の散乱角の違いによる散乱コントラストによりパターン露光を行う散乱角制限方式の電子線露光方法であって、パターン密度に応じてマスクの散乱領域の厚さを変えて散乱電子の散乱角を制御することによって制限アパチャを通過する散乱電子量を調整し、該制限アパチャを通過した散乱電子の補助露光によりパターン露光と同時に近接効果補正を行うことを特徴とする電子線露光方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G21K 5/04

FI (6件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G21K 5/04 M ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (17件)：

2H095BA09 ,  2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H097BB01 ,  2H097BB03 ,  2H097CA16 ,  2H097EA02 ,  2H097GB01 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD12 ,  5F056EA04 ,  5F056FA08