特許
J-GLOBAL ID：200903029319115165

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
水野 謙和

水野 謙和 について

, 
前田 喜世彦

前田 喜世彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037120
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230248
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】ビス ターシャル ブチル アミノ シラン(BTBAS)とNH3とを原料ガスとして用いて窒化シリコン膜を成膜する際や、BTBASとNH3とN2Oとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を形成する際に、成膜される膜の膜厚の基板面内均一性を向上させる。【解決手段】複数の半導体ウェーハ16を積層して収容する石英インナーチューブ12内に、BTBASとNH3とを原料ガスとしてインナーチューブ12内に流して熱CVD法により半導体ウェーハ16上に窒化シリコン膜を成膜する際に、または、BTBASとNH3とN2Oとを原料ガスとしてインナーチューブ12内に流して熱CVD法により半導体ウェーハ16上に酸化窒化シリコン膜を成膜する際に、隣接する半導体ウェーハ16間の距離aと半導体ウェーハ16の端部と石英インナーチューブ12の内壁との間の距離bとをほぼ等しくして成膜する。
請求項（抜粋）：
複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に流して熱CVD法により前記基板上に窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、隣接する前記基板間の距離aと前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bとをほぼ等しくして前記基板上に前記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C
Fターム (15件)：
5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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