特許
J-GLOBAL ID：200903029320586708
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-241281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107116
出願日： 1994年10月05日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける過剰ベース電流の抑制と簡便な素子の微細化とを同時に満足できるようにすることを目的とする。【構成】 ショットキー障壁の存在によりこれに隣接するエミッタ層11はバンドが持ち上げられ、このショットキー障壁が形成されている領域の内側の部分はキャリアが空乏化する。すなわち、エミッタ層11のショットキー電極下の部分がガードリングとして機能する。
請求項（抜粋）：
第1導電形のコレクタ層上に形成された第2導電形のベース層と、前記ベース層上に形成され、前記ベース層より広い禁止帯幅を有する第1導電形のエミッタ層と、その周辺を露出するように前記エミッタ層上に形成され、このエミッタ層より低抵抗率で第1導電形のエミッタキャップ層と、前記エミッタ層の周辺の露出部とエミッタキャップ層との上に形成され、前記露出部とはショットキー接合を成すエミッタ電極とを備えていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
