特許

J-GLOBAL ID：200903029320938469

半導体基体の表面平滑方法及び半導体基体及び半導体装置の製造方法

発明者： 黒木 晴之 ,  吉沢 豊
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223498
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 シリコン半導体ウエハの表面を容易に鏡面仕上げすることができなかった。【解決手段】 半導体のインゴットから半導体ウエハ11aを切り出す。N型の半導体ウエハ11aに両主面から不純物を導入して第1及び第2のN+ 型半導体領域13a、13bを形成する。第1のN+ 型半導体領域13aの全部とN型半導体領域12の一部を研摩で除去する。研摩後のN型半導体領域12aの表面上に熱酸化でシリコン酸化膜14を形成する。シリコン酸化膜14をエッチングで除去する。これにより、平滑化されたN型半導体領域12aの表面を得る。

請求項（抜粋）：

微細な凹凸を有する半導体基体の表面に熱酸化によって半導体の酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングによって除去する工程とを備えていることを特徴とする半導体基体の表面平滑方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094855   出願人：信越半導体株式会社