特許

J-GLOBAL ID：200903029322502900

スルホニウム塩

発明者： 大澤 洋一 ,  竹村 勝也 ,  渡辺 聡 ,  石原 俊信 ,  名倉 茂広
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186168
公開番号（公開出願番号）：特開平9-012537
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【目的】 微細加工技術に適した高解像度を有し、化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として好適な成分を開発する。【構成】 下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

IPC (3件)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-317626   出願人：信越化学工業株式会社