特許
J-GLOBAL ID：200903029322516170
電磁場解析方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069172
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268061
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 有限要素法による電磁場解析において、有限要素の扁平率による悪影響を避け、未知変数の数を減少させて電磁場を高精度に短時間に計算する。【解決手段】 計算機を用いて表皮厚さに比べて薄い非磁性導体に発生するうず電流を計算する方法において、非磁性導体の物性を空気と仮定した解析対象領域の電磁場を、磁気ベクトルポテンシャルを用いた有限要素法により計算する工程と、前記計算により求めた非磁性導体部に垂直に鎖交する磁束密度分布を初期条件として、非磁性導体およびその周辺のみを解析対象領域とした電磁場を電流ベクトルポテンシャルと磁気スカラポテンシャルを用いた有限要素法により、非磁性導体に発生するうず電流を計算する工程とを備えた。
請求項（抜粋）：
計算機を用いて表皮厚さに比べて薄い非磁性導体に発生するうず電流を計算する方法において、非磁性導体の物性を空気と仮定した解析対象領域の電磁場を、磁気ベクトルポテンシャルを用いた有限要素法により計算する工程と、前記計算により求めた非磁性導体部に垂直に鎖交する磁束密度分布を初期条件として、非磁性導体およびその近傍のみを解析対象領域とした電磁場を電流ベクトルポテンシャルと磁気スカラポテンシャルを用いた有限要素法により、非磁性導体に発生するうず電流を計算する工程とを備えた電磁場解析方法。
Fターム (2件)：
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