特許

J-GLOBAL ID：200903029323124004

コンタクト形成方法およびこれを用いた半導体装置

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276236
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112446
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 シリコン材料上にTi層およびTiN層を順次CVD成膜するコンタクト形成、あるいは金属シリサイド層上にTiN層を成膜するコンタクト形成における、自然酸化膜の影響や、下地Ti層の過度の窒化やエッチングを防止する。【解決手段】 Ti層4成膜後、熱処理を施してTiシリサイド層5を形成してから、TiCl4 等のハロゲン化チタン化合物および窒化剤を含む混合ガスにより、TiN層6をCVD成膜する。Tiシリサイド層5上のTiOx 層を水素活性種により還元除去してから、TiN層を形成してもよい。【効果】 TiOx 層の残存等によるコンタクト抵抗の上昇を防止できる。また、TiN層のCVD工程において、窒化剤によりTi層が過度に窒化される現象が防止される。このため、高抵抗のTi-Si-N層等が形成されることなく、低抵抗のオーミックコンタクトが達成される。

請求項（抜粋）：

シリコン材料を含む被処理基板上に金属層を形成する工程、前記被処理基板に熱処理を施すことにより、前記シリコン材料と前記金属層を反応させ、金属シリサイド層を形成する工程、前記金属シリサイド層上に、ハロゲン化金属化合物および窒化剤を含む混合ガスを用い、金属窒化物層をCVD法により形成する工程、を有することを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 Q