特許
J-GLOBAL ID：200903029329048938
ウェーハ研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127442
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338483
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハの研磨方法を提供する。【構成】 プレート1に保持された半導体ウェーハ2の表面を研磨定盤3上に貼付けられた研磨布4で研磨剤6を滴下しながら研磨する際に、研磨圧力を130 〜200gf/cm2 とすることにより、ウェーハ表面に生じる加工歪を制御しながら、短時間の研磨で良好な研磨面粗度を有するウェーハを得ることを可能とする。
請求項（抜粋）：
プレートに保持された半導体ウェーハの表面を研磨定盤上に貼付けられた研磨布で研磨剤を滴下しながら研磨する方法において、研磨時に作用させる研磨圧力を130 〜200gf/cm2 とすることを特徴とするウェーハ研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
