特許

J-GLOBAL ID：200903029331758942

有機薄膜半導体素子及びその製造方法

発明者： 宮口 敏
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058537
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258267
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 ドレイン及びソース電極との間のリーク電流の発生を抑制した有機薄膜スイッチング素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子であって、有機半導体層に包埋されたゲート電極を備えている。有機半導体層の融解によりゲート電極が包埋される。

請求項（抜粋）：

ソース及びドレイン電極間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機薄膜半導体素子であって、前記有機半導体層に包埋されたゲート電極を備えたことを特徴とする有機薄膜半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H01L 29/78 654 C ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/28

Fターム (11件)：

3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GL01 ,  5F102GR11 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102HC21