特許
J-GLOBAL ID：200903029345016183
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041443
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 Cuポスト電極と、Moディスクの接触熱抵抗を少なくする。【解決手段】 シリコン素子の両面にそれぞれMoディスクを介してCuポスト電極で挟み圧力をかけて電気的接合を行う平型圧接構造の半導体装置において、Cuポスト電極の表面及びMoディスクの表面部21にそれぞれスパッタ,蒸着,メッキ等によりAg,Al等の薄膜41及び42を施す。Cuの表面61,Moの表面21に凹凸があっても表面61及び21と薄膜41及び42との間には隙間が生じない。また、圧接面bはAg,Al等の軟質の薄膜同士の面で圧接されることになるので、圧接面bにも隙間ができない。したがってCuポスト電極とモリブデン電極との接触熱抵抗は少なくなる。
請求項（抜粋）：
シリコン素子の両面にそれぞれモリブデンディスクを介して銅ポスト電極で挟み圧力をかけて電気的接合を行う半導体装置において、銅ポスト電極とモリブデンディスクの対向する表面にそれぞれ高熱伝導で軟質の金属薄膜がコーティングされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/36 M
, H01L 29/74 L
, H01L 29/74 J
