特許

J-GLOBAL ID：200903029351460605

半導体装置

発明者： 藤本 愼治 ,  浅倉 嘉哉
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402338
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203955
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】耐圧維持構造として用いられるガードリング構造を備えた半導体装置において、ガードリング表面の不純物濃度を低下させることにより、ガードリングの酸化膜23直下及びコンタクト開口端部に発生する正孔電流の局所集中を和らげ、高アバランシェ耐量なガードリングを得る。【解決手段】例えばショットキーバリアダイオード(SBD)1のエピタキシャル層21に、開口パターンを用いてP型不純物としてボロンイオンを注入することによりP層22aを形成させ、さらに同一の開口パターンを用いてリンイオンを注入することにより、P層22aの表面部分にP層22aよりも不純物濃度が低濃度であるP-層22bを形成させることにより、P層22a及びP-層22bの二層からなるガードリング22を得る。

請求項（抜粋）：

耐圧維持構造として、第一導電型半導体層に第一導電型の反導電型である第二導電型のガードリングを備える半導体装置において、第一導電型半導体層に開口パターンを用いて第二導電型不純物をイオン注入して熱処理することにより、第二導電型のガードリングを形成するとともに、前記開口パターンを用いて第一導電形半導体層に形成されたガードリングに前記第二導電型不純物よりも低濃度の第一導電型不純物をイオン注入して熱処理を行なうことにより、前記ガードリング表面の第二導電型不純物濃度から第一導電型不純物濃度を差し引いた実質的な第二導電型不純物濃度を低下させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 301 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/48 G ,  H01L 29/91 C

Fターム (7件)：

4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20