特許

J-GLOBAL ID：200903029352572288

半導体装置

発明者： 一ノ瀬 茂則
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021521
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231040
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 フューズを有する半導体装置に関し,フューズ溶断の際に保護膜やその下の層間絶縁膜に生じる穴の深さを低減して,デバイスの信頼性を向上する。【構成】 1)半導体基板 1上に被着された最上層の絶縁膜 8上に形成された導電膜 9からなるフューズを有する半導体装置,2)前記導電膜 9がパッド10とバンプ11間に挿入するバリアメタル膜である。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に被着された最上層の絶縁膜(8) 上に形成された導電膜(9) からなるフューズを有することを特徴とする半導体装置。