特許

J-GLOBAL ID：200903029357654223

薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード

発明者： 岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258272
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073703
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 酸化物を半導体層に用いた半導体デバイスである、薄膜トランジスタ又は薄膜ダイオードにおいて、光の透過率を高める。【解決手段】 可視光に対して透明な酸化物半導体からなるチャネル層を有した薄膜トランジスタであって、屈折率nxのチャネル層11と、該チャネル層11の一方の面に接したゲート絶縁層12と該チャネル層11の他方の面に接した屈折率ntの透明層16とを有し、nx>ntである。また、屈折率noの基板10と、該基板10上に配した屈折率ntの透明層16と該透明層16上に配した屈折率nxのチャネル層11とを有し、nx>nt>noなる関係を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

可視光に対して透明な酸化物半導体からなるチャネル層を有した薄膜トランジスタであって、 屈折率nxのチャネル層と、該チャネル層の一方の面に接したゲート絶縁層と、該チャネル層の他方の面に接した屈折率ntの透明層とを有し、nx>ntであることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/91 F

Fターム (24件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ09