特許
J-GLOBAL ID：200903029359622256
プラズマ表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181185
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】大口径のウェハを均一に処理できるプラズマ表面処理装置を提供すること。【構成】電子ビーム加速用電極8により加速された電子をプラズマ源ガスに照射してプラズマを生成し、このプラズマによりウェハホルダ4に載置された半導体ウェハ3をエッチングするプラズマ表面装置において、プラズマ源ガスに照射する電子の分布を空間的及び時間的に変調する電子密度変調用電極9と、この変調に同期してウェハホルダ4に高周波バイアスを印加してプラズマを時間的に変調する高周波電源Vbとを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収容され、プラズマ源ガスが導入される表面処理室と、電子を生成する電子生成手段と、前記電子を加速し、この加速された電子を前記プラズマ源ガスに照射して、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ源ガスに照射される電子の分布を空間的に変調する電子分布変調手段と、この変調に同期して前記加速された電子の照射により生成される前記プラズマの分布を空間的に変調するプラズマ分布変調手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, H01L 21/268
, H01L 21/31
, H05H 1/00
