特許
J-GLOBAL ID：200903029363291710
イオンビーム加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-134583
出願日： 1983年12月14日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】【目的】 イオンビームマイクロ加工における下地基板の損傷を最小にすることができるイオンビーム加工装置を提供する。【構成】 高輝度イオンビームの集束イオンビームを照射走査することによって前記試料から放出される2次粒子を検出する検出手段と、該検出手段から検出された信号をディジタル化したディジタル画像をCRT画面に表示する表示手段と、該ディジタル画像の信号に基づいて被加工部の端辺の位置を検出し、該検出された被加工部の端辺の位置情報に基づいて前記集束イオンビームの照射走査範囲を制御すべく少なくとも前記偏向電極を制御する中央コントローラとを備えたイオンビーム加工装置。【効果】 下地基板の損傷を最小とするイオンビームマイクロ加工が可能となるので、半導体装置製造等の歩留向上,品質向上,効率向上に顕著な効果が得られる。
請求項（抜粋）：
高輝度イオンビームを発生する高輝度イオン源と、該高輝度イオン源から発生した高輝度イオンビームを集束させるレンズ電極と、該レンズ電極により集束される集束イオンビームを偏向して走査させる偏向電極と、前記集束イオンビームについて照射・停止をさせるブランキング電極とを備え、前記集束イオンビームを照射走査して試料上の所望の被加工部に加工を施すイオンビーム加工装置であって、前記集束イオンビームを照射走査することによって前記試料から放出される2次粒子を検出する検出手段と、該検出手段から検出されるアナログ画像信号をディジタル画像信号に変換するA/D変換手段と、該A/D変換手段で変換されたディジタル画像信号を記憶する画像メモリと、該画像メモリに記憶されたディジタル画像信号を読出して該ディジタル画像をCRT画面に表示する表示手段と、前記A/D変換手段で変換されたディジタル画像信号に基づいて被加工部の端辺の位置を検出し、該検出された被加工部の被加工部の端辺の位置情報に基いて前記集束イオンビームの照射走査範囲を制御すべく少なくとも前記偏向電極を制御する中央コントローラとを備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。
IPC (2件)：
B23K 15/00 508
, H01L 21/302
