特許

J-GLOBAL ID：200903029368211650

窒化物エッチングプロセス

発明者： ピーター アール. ケスウィック ,  ジェフリー マークス ,  レッガ テケステ ,  ギルロイ ジョン バンデントップ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011548
公開番号（公開出願番号）：特開平8-059215
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【目的】 酸化珪素、珪化金属又はシリコンの存在下で窒化珪素を選択的にエッチングするプロセス。【構成】 本発明のプラズマエッチングプロセスは、式CHX F4-X 、Xは2〜3、好適には3、で示されるヒドロフルオロカーボンと、O2 、CO、CO2 又はこれらの混合物、好適にはCO若しくはCO2 又はこれらの混合物等の、酸素含有ガスとの混合物を用いてプラズマエッチングチャンバ内にプラズマを発生させるステップと;エッチングされる材料を保持するカソード支持体に、直径200mmの円形の基板に対して約100〜約500ワットであると等価な低電力バイアスを維持するステップとを備える。窒化物に対しての酸化物の前記エッチングプロセスの選択性が少なくとも4:1となるように、且つ、窒化物に対しての珪化物若しくはシリコンの前記エッチングプロセスの選択性が少なくとも50:1となる。

請求項（抜粋）：

a)1)式CHX F4-X 、Xは2〜3、を有するヒドロフルオロカーボンガス及びこの混合物と、2)酸素含有ガスとの混合物を用いてプラズマエッチングチャンバ内にプラズマを形成するステップと、b)充分に低い電力バイアスを選択して、酸化珪素、珪化金属及びシリコンの存在下で、前記プラズマが窒化珪素を選択的にエッチングするステップとを備える窒化珪素のプラズマエッチングプロセス。

IPC (2件)：

C01B 21/068 ,  H01L 21/3065