特許

J-GLOBAL ID：200903029370655816

アクティブマトリクス基板

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280464
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075248
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス基板に形成される補助容量素子の大容量化を図る。【構成】 アクティブマトリクス基板は、マトリクス状に配列された画素電極とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタを介して電荷を保持する為の補助容量とを備えている。この補助容量1は、基板主表面に形成された複数の凸部又は凹部を有する非平面領域に設けられている。具体的には、この補助容量1は、アクティブマトリクス基板の主表面5に形成された2個以上のトレンチ凹部あるいはトレンチセル2に設けられている。補助容量1は、各々のトレンチセル2の内壁に沿って形成された第1の電極層4と、この第1の電極層4上に形成された誘電膜と、この誘電膜上に形成された第2の電極層6とから構成されている。トレンチセル2は隔壁3によって細分化された集合体を構成している。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配列された画素電極とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタを介して電荷を保持する為の補助容量とを備えたアクティブマトリクス基板において、複数の凸部又は凹部を有する非平面領域が基板主表面に形成されており、前記補助容量が、該非平面領域に形成された第1の電極層と、この第1の電極層上に形成された誘電膜と、この誘電膜上に形成された第2の電極層とから構成されている事を特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1333 ,  H01L 29/784