特許
J-GLOBAL ID：200903029370838406
荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法、及び近接効果のパラメータの推定方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183941
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019780
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】エネルギー重畳計算結果から実験結果により沿った形成パターン寸法を算出する方法を提供する。【解決手段】(1) 同一寸法で後方散乱の影響が異なる第1のパターンと第2のパターンとを、前記ブラーBを変化させて露光し、(2) 前記ブラーBに対応して、これら2つのパターンにより前記感応基板に形成されるパターンの境界位置の差ΔBを求め、(3) 前記ブラーBが十分大きなときに、それに対応する前記パターンの境界位置の差ΔBを与えるような後方散乱係数η0を求め、(5) 求められた後方散乱係数η0と前記各パターンの境界位置の差ΔBから、前記ブラーBに対応する実効ブラーB’を求め、(6) その後は、前記ブラーBの代わりに、前記実効ブラーB’と前記後方散乱径η0を使用して計算を行うことにより蓄積エネルギーを計算する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
荷電粒子線露光装置を用いて、レチクルに形成されたパターンを感応基板に転写する露光転写において、前記レチクルに形成されたパターンに対応して前記感応基板に形成されるパターン形状を、近接効果を考慮して推定する方法であって、露光により前記感応基板に蓄積される蓄積エネルギーが閾値を越えた領域であるか越えない領域であるかの区別が、前記パターンが形成される領域であるか形成されない領域であるかの区別に対応するとする方法であり、
(1) 同一寸法で後方散乱の影響が互いに異なる第1のパターンと第2のパターンとを、前記荷電粒子線露光装置のブラーBを変化させて露光し、
(2) 前記ブラーBに対応して、これら2つのパターンのそれぞれにより前記感応基板に形成されるパターンの境界位置の差ΔBを求め、
(3) 前記ブラーBが十分大きなときに、それに対応する前記パターンの境界位置の差ΔBを与えるような後方散乱係数η0を求め、
(4) 求められた後方散乱係数η0と前記各パターンの境界位置の差ΔBから、前記ブラーBに対応する実効ブラーB’を求め、
(5) その後は、そのときの感応基板と同じ感応基板については、前記ブラーBで露光するときは、前記ブラーBの代わりに、前記実効ブラーB’と前記後方散乱係数η0を使用して計算を行うことにより前記感応基板に蓄積される蓄積エネルギーを計算することを特徴とする荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法。
IPC (4件)：
H01L21/027
, G03F1/16
, G03F7/20
, H01J37/305
H01L21/30 541Z
, G03F1/16 B
, G03F7/20 504
, G03F7/20 511
, H01J37/305 B
, H01L21/30 541S
2H095BA08
, 2H095BB09
, 2H097CA16
, 2H097LA10
, 5C034BB05
, 5F056AA22
, 5F056BA05
, 5F056CB33
, 5F056CC14
, 5F056FA08
