半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143941
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335604
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】高集積度のメモリ半導体装置のキャパシタ容量を増大する。【解決手段】半導体基板31上に形成されたトランジスタ37上に形成された層間絶縁膜41、この層間絶縁膜上にトランジスタ37のソース35又はドレイン36と接続して形成されたキャパシタ37からなる半導体メモリ装置において、キャパシタ37は、半導体基板面に垂直で上面の短辺幅より長い高さの側面を有する下部電極44aと、下部電極44aの上面及び側面に形成されたキャパシタ誘電体膜45と、キャパシタ誘電体膜を挟んで下部電極44aの上面及び側面と対向する上部電極46とを備えた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたトランジスタ、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜上に前記トランジスタのソース又はドレインと接続して形成されたキャパシタからなる半導体メモリ装置において、前記キャパシタは、前記半導体基板面に垂直で上面の短辺幅より長い高さの側面を有する下部電極と、前記下部電極の上面及び側面に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜を挟んで前記下部電極の上面及び側面と対向する上部電極とを備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

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