特許
J-GLOBAL ID：200903029374580080
集束イオンビーム加工方法および加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222176
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】半導体LSIやその製造用マスクのプロセス解析、不良解析、パターン修正加工のために集束イオンビームを用いて微細加工する際に、電気的絶縁物があっても、熱電子による自動チャージアップ中和機構と、加工表面から放出された二次イオンのエネルギーを選択的に検出する機構とによって、電気的絶縁物の加工を位置ずれすること無く正確に観察・加工できる集束イオンビーム加工方法と加工装置とを提供する。【構成】集束イオンビーム1の照射された加工対象物12の表面のチャージアップを、加熱用ヒータ9と絶縁物10を介して接続固定された熱電子放出電極11から放出された中和電子13により自動的に中和し、加工表面からの二次イオン14を、エネルギー選択メッシュ電極7、8と、イオン-電子変換電極5と、シンチレータ4と、ライトガイド3とによってエネルギー的に選択して検出し、SIM像を観察する。
請求項（抜粋）：
?@集束イオンビームを絶縁物試料に照射することによって照射領域を加工するパターン形成工程と、?A集束イオンビームを照射するに際し、少なくともイオン照射領域に電子シャワーを浴びせて、イオン照射によって蓄積された電荷を中和する工程と、?Bイオン照射領域から放出される二次イオンを検出してSIM像を観察する工程とを有して成る集束イオンビーム加工方法において、?Aのイオン照射によって蓄積された電荷を中和する工程を、耐熱性と高熱伝導性とを有する絶縁膜によって電気的に絶縁された加熱ヒーターを加熱することにより、隣接する熱電子放出電極を加熱して熱電子を放出させ、イオン照射領域に蓄積された電荷を、試料のイオン照射領域と熱電子放出電極との間に生じる電位差に応じて自動的に中和する工程として成る集束イオンビーム加工方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/32
, H01J 37/28
H01J 37/317 Z
, C23C 14/32 F
, H01J 37/28 Z
