電磁波励起プラズマエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014901
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211139
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の微細加工に伴って加工材料面に段差が発生する場合に、高段差のある加工面を異方性を保ちながら加工材料下層の膜厚を減少させずにエッチングする。【構成】半導体シリコン4などの被エッチング材料の表面段差1の生じている部分にエキシマレーザー光(波長248nm)などのコヒーレンス性の高い電磁波2をマスク3を介して選択的に照射する。そして、この手順を繰り返しながらプラズマを用いてエッチングする。または電磁波2を基板全面に照射する際、レーザー光の強度を補正するフィルター6を用いて行う。

請求項（抜粋）：

コヒーレンス性が高くかつ波長496nm以下の電磁波を、被加工材料である半導体シリコン表面に選択的に照射しながらプラズマエッチングすることを特徴とする電磁波励起プラズマエッチング方法。

前のページに戻る