特許

J-GLOBAL ID：200903029383923674

半導体装置及び光電変換装置

発明者： 田中 一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236752
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084106
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 配線交差部でクロストークが増大し、画像品位が低下する。【解決手段】 光透過性導電材料からなる導電層11が第1の配線として用いられ、該第1の配線は交差部で短絡せずに第2の配線1と交差してなる半導体装置において、前記交差部Xで、前記第1の配線は前記導電層11と前記導電層よりも低抵抗な材料からなる導電層5とで構成されている。

請求項（抜粋）：

光透過性導電材料からなる導電層が第1の配線として用いられ、該第1の配線は交差部で短絡せずに第2の配線と交差してなる半導体装置において、前記交差部で、前記第1の配線は前記導電層と前記導電層よりも低抵抗な材料からなる導電層とで構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/768 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 C ,  H04N 5/335 U ,  H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-278928
  
• 特開平2-210331
  
• 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313392   出願人：キヤノン株式会社