特許
J-GLOBAL ID：200903029392804114
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092900
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283172
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 ダイシングブレードの寿命を延ばす。【構成】 下地金属層形成用層35の中央部のバンプ電極形成領域35aを除く部分と下地金属層形成用層35の外周部35bのダイシングストリート36に対応する部分とにメッキレジスト層37を形成する。そして、バンプ電極38を形成するためにメッキ処理を行うと、外周部35bのダイシングストリート36に対応する部分を除く部分にメッキ層39が形成され、ダイシングストリート36に対応する部分にはメッキ層39が形成されない。したがって、ダイシングブレードによってダイシングする際に、メッキ層39を切断することがない。
請求項（抜粋）：
半導体基板の全上面に下地金属層形成用層を形成し、前記下地金属層形成用層の中央部のバンプ電極形成領域を除く部分と前記下地金属層形成用層の外周部のダイシングストリートに対応する部分とにメッキレジスト層を形成し、メッキ処理を行うことにより、前記下地金属層形成用層の中央部のバンプ電極形成領域と前記下地金属層形成用層の外周部のダイシングストリートに対応する部分を除く部分とにメッキ層を形成し、前記メッキレジスト層および該メッキレジスト層下の前記下地金属層形成用層を除去した後、前記ダイシングストリートに沿ってダイシングすることにより、所定のサイズのチップを複数個得る、ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 S
