特許

J-GLOBAL ID：200903029396753050

化合物半導体装置

発明者： 森 光廣 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  寺野 昭久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065766
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260402
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ショットキゲ-トのような接合型ゲ-トの化合物半導体電界効果型トランジスタを有する半導体装置において、ゲ-ト電極の横の化合物半導体表面を安定化することにある。【解決手段】接合型ゲ-ト電極端からの横方向の空乏層の延び分の少なくとも一部分を覆うように、ゲ-ト電極横のソース,ドレインの少なくとも一方の側の化合物半導体表面にLaB6等の希土類元素の六硼化物薄膜を形成する。空乏層の延び分全てを覆うように希土類元素の六硼化物薄膜を形成することが好ましい。【効果】化合物半導体ショットキゲ-ト電界効果型トランジスタの高出力動作時におけるドレイン電流ドリフトおよび出力変動を抑制できる。

請求項（抜粋）：

接合型ゲ-ト電極端からの横方向の空乏層の延び分の少なくとも一部分を覆うように、上記接合型ゲ-ト電極横のソース,ドレインの少なくとも一方の側の化合物半導体表面に希土類元素の六硼化物薄膜が形成された電界効果トランジスタを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 H