特許

J-GLOBAL ID：200903029402059277

半導体素子の製造方法

発明者： 成田 武憲 ,  倉田 靖 ,  森嶋 浩之 ,  本田 善彦 ,  横塚 俊亮 ,  松倉 郁生
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091610
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286255
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率でグローバル平坦化された層間絶縁膜を形成するため、誘電率2.5以下の有機絶縁膜を研磨剤により研磨する工程を含む半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に比誘電率2.5以下の絶縁膜層を形成し、その絶縁膜層を研磨剤で研磨する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板に比誘電率2.5以下の絶縁膜の層を形成し、その絶縁膜層を研磨剤で研磨する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/90 S

Fターム (33件)：

4J002BD15W ,  4J002BD16W ,  4J002BE04W ,  4J002CP03X ,  4J002CP08X ,  4J002EX066 ,  4J002EX076 ,  4J002GQ05 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AC03 ,  5F058AC05 ,  5F058AF04 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低誘電率樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229117   出願人：旭硝子株式会社, 日立化成工業株式会社