特許

J-GLOBAL ID：200903029403300210

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中 井 弘 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168059
公開番号（公開出願番号）：特開平7-021787
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 幅広い電源電圧に対して動作を保証する。【構成】 一端が接地され他端が第2のノードhvh1に接続され第1のノードsa1の電位に応じて導通を制御される第1のMOS型トランジスタIF12、一端が第2のノードhvh1に接続され他端が電圧供給手段IF2及びFCに接続されゲートが第2のノードhvh1に接続された第2のMOS型トランジスタDF2、電源電圧Vccが所定電圧未満のとき第2のMOS型トランジスタDF2の電流経路の他端に電源電圧Vccとほぼ等しい電圧を供給し、電源電圧Vccが所定電圧以上のとき第2のMOS型トランジスタDF2の他端に電源電圧Vccよりも低い電圧を供給する電圧供給手段IF2及びFC、並びに一端が第1のノードsa1に接続され他端が負荷手段P1に接続され第2のノードhvh1の電位に応じて導通抵抗が制御される第3のMOS型トランジスタN1を備える。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリセルと、前記メモリセルに接続され前記データを入出力する第1のノードと、電流経路の一端が接地され他端が第2のノードに接続され、前記第1のノードの電位に応じて導通抵抗を制御される第1のMOS型トランジスタと、電流経路の一端が前記第2のノードに接続され他端が後記電圧供給手段に接続されゲートが前記第2のノードに接続された第2のMOS型トランジスタと、電源電圧を入力され、この電源電圧が所定電圧未満のとき前記第2のMOS型トランジスタの電流経路の前記他端に前記電源電圧とほぼ等しい電圧を供給し、前記電源電圧が所定電圧以上のとき前記第2のMOS型トランジスタの電流経路の前記他端に前記電源電圧よりも低い電圧を供給する前記電圧供給手段と、前記電流経路の一端が前記第1のノードに接続され他端が後記負荷手段に接続され、前記第2のノードの電位に応じて導通抵抗が制御される第3のMOS型トランジスタと、前記第3のMOSトランジスタの電流経路の前記他端と電源電圧端子との間に接続され所定の負荷抵抗を有する前記負荷手段とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。