半導体装置の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228361
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】良好な特性を持つ半導体装置の作成方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁表面上に酸化珪素膜を形成し、少なくとも一つの凹または凸パターンを前記酸化珪素膜をパターニングして形成し、前記酸化珪素膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質半導体膜に接して配置し、加熱処理によって前記非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜とし、光を照射することによって前記結晶性半導体膜をモノドメイン領域へと変成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に酸化珪素膜を形成し、少なくとも一つの凹または凸パターンを前記酸化珪素膜をパターニングして形成し、前記酸化珪素膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質半導体膜に接して配置し、加熱処理によって前記非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜とし、光を照射することによって前記結晶性半導体膜をモノドメイン領域へと変成する半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

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