特許

J-GLOBAL ID：200903029405202011

半導体基板及びその製造方法

発明者： 趙 世 泳 ,  鮮 于 文 旭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-328739
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140503
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】小さい寄生容量及び高いキャリヤ移動度を有する半導体基板を提供する。【解決手段】Si基板10と、Si基板10上に形成された所定幅のSiO2層12と、両側にそれぞれ第1の端部40a及び第2の端部40bを有し、第1の端部40a及び第2の端部40bから側方向のエピタキシャル成長によって形成され、SiO2層12を覆うSiGe層40と、SiO2層12に対応してSiGe層40上にエピタキシャル成長によって形成され、Siの格子変形が誘導されたストレインSi層50と、を備える半導体基板である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板と、 前記Si基板上に形成された所定幅のSiO2層と、 両側にそれぞれ第1の端部及び第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記第2の端部から側方向のエピタキシャル成長によって形成され、前記SiO2層を覆うSiGe層と、 前記SiO2層に対応して前記SiGe層上にエピタキシャル成長によって形成され、Siの格子変形が誘導されたストレインSi層と、 を備えることを特徴とする半導体基板。

IPC (9件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (11件)：

H01L27/12 E ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627G ,  H01L27/12 R ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/76 E ,  H01L21/76 D ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (72件)：

5F032AA09 ,  5F032BA05 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032CA23 ,  5F032DA03 ,  5F032DA13 ,  5F032DA14 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F045AA07 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045DB01 ,  5F045HA17 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG33 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP23 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BH45 ,  5F140CE18 ,  5F152AA03 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152CC08 ,  5F152CC16 ,  5F152CD13 ,  5F152CD22 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152FF03 ,  5F152FG18 ,  5F152LL03 ,  5F152LN08 ,  5F152LN21 ,  5F152LN32 ,  5F152LN35 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国公開特許第US2003/0139000A1号明細書