特許
J-GLOBAL ID：200903029406405757
樹脂封止型半導体装置用リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320841
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181270
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】リードフレームのアイランド部上に半導体チップをマウントし、そのパッドとインナーリードとに金属細線をボンディングした状態で固形樹脂シートを用いる圧縮成形法により半導体チップの樹脂封止を行う際、ボンディング後のループ状の金属細線の変形を防止でき、信頼性を向上し得る半導体装置を提供する。【構成】リードフレーム10のアイランド部11上にアイランド部より大きな寸法を有する半導体チップ21の素子・パッド形成面がマウントされ、アイランド部の底面が上向きにされた状態でチップのパッド22とリードフレームのインナーリード部12とに金属細線23の両端がボンディングされており、チップおよびその周辺領域を挟んで対向する2枚の固形樹脂シート43、44の圧縮により樹脂封止するようにパッケージが成形されてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体チップの素子形成面が第1の面に接着によりマウントされるアイランド部と、上記半導体チップの素子形成面に形成されたパッドに一端がボンディング接続されたループ状の金属細線の他端が前記アイランド部の第1の面とは逆方向に向く第2の面にボンディング接続されるインナーリード部とを具備し、少なくとも前記アイランド部は、前記半導体チップとの接着部を加えた厚さ寸法が前記半導体チップの素子形成面を基準とする前記ボンディング後の金属細線のループ高さ寸法より大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
前のページに戻る
