特許

J-GLOBAL ID：200903029411641361

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 信昭
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205971
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211118
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 基板ホルダのとつ部の面と半導体膜との接触圧に多少のばらつきがある場合にも、半導体膜において大きな粒径の結晶粒が安定して得られる。【構成】 薄膜半導体基板11の半導体膜13を保護層14を介し基板ホルダ1のとつ部5に接触させ、この状態で透明基板12側からビームBMを照射して半導体膜13を加熱溶融する。半導体膜13の領域13aは、他の領域13b,13cと同時に溶融されてもとつ部5への熱伝導によって、領域13b,13cよりも放熱が早い。一方、基板ホルダ1のおう部6の面7,6aは、半導体膜13からの熱を領域13b,13cに向け反射するが、面7からの反射熱は、面7が所定のテーパ角θで傾斜しているので、領域13b,領域13cに拡散された形で加わり、領域13aから遠ざかるにつれ半導体膜13の温度を高温にでき、再結晶化を領域13aから遠ざかる方向に徐々に進行させることができる。

請求項（抜粋）：

基板ホルダの表面を半導体の一方の側に接触させ、半導体の他方の側からエネルギービームを照射することにより、半導体をアニールし再結晶化させて作製する半導体製造装置において、前記基板ホルダは、表面にとつ部とおう部とが形成されており、前記おう部の少なくとも一部の面は、前記とつ部の面を前記半導体に接触させた状態でアニールするときに、アニールによる熱が接触面から遠ざかる方向に反射されるよう、該接触面に対し傾斜していることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784