特許
J-GLOBAL ID：200903029413280358
半導体メモリ装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-027938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069445
出願日： 1991年01月29日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】周辺回路部のソ-ス・ドレイン拡散層のみをシリサイド化した半導体メモリ装置を少ない工程で製造することができる様にする。【構成】セルプレ-ト34でメモリセルアレイ部13を覆った状態で、周辺回路部14のソ-ス・ドレイン拡散層24をシリサイド化する。このため、専用の被覆膜でメモリセルアレイ部13を覆う必要がなく、この被覆膜の堆積及びパタ-ニングという工程が不要である。
請求項（抜粋）：
トランジスタとキャパシタとでメモリセルが構成されている半導体メモリ装置の製造方法において、前記キャパシタの対向電極でメモリセルアレイ部を覆った状態で、周辺回路部のソ-ス・ドレイン拡散層をシリサイド化する半導体メモリ装置の製造方法。
IPC (2件)：
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