特許
J-GLOBAL ID:200903029418546704

接続スタッド構造および磁気記録ヘッド内の電気的接続部材の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-080258
公開番号(公開出願番号):特開2001-043508
出願日: 2000年03月22日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 磁気記録ヘッド、特に高密度磁気抵抗性および大型磁気抵抗性テープヘッド内に高密度実装接続部材を製造するため特に有用な多段スタッド設計および多段スタッドを作製するための方法を提供する。【解決手段】 多段スタッド作製方法および構造は、大幅に高い接続部材密度の達成を可能とし、その結果、単一コンピュータ大容量記憶装置記録ヘッド上の1ミリメートルあたりのチャネル数が増加する。スタッドのまわりのさらに強い封止がさらに高いチャネルの信頼性を提供する。スタッド構造内の各段について達成されるフォトレジストの開口部の改良された均一性および下地スタッドのベースサイズがより幅が広いことによる電気拡散抵抗の減少によって、スタッドの均一性が増し、スタッドの歩留まりが上がる。
請求項(抜粋):
コンピュータ大容量記憶装置の磁気記録ヘッド内の接続スタッド構造であって、第1の幅を有する第1の金属層を含み、前記第1の金属層は前記記録ヘッドの少なくとも1つの素子と電気的に結合され、前記構造はさらに、前記第1の金属層の上に重なり、第2の異なる幅を有する第2の金属層を含み、前記第2の金属層は、前記第1の金属層への電気的接触を提供するため前記第2の金属層の上部分を提供し、前記構造はさらに、前記第2の金属層の前記上部分を除いて前記第1の金属層および前記第2の金属層を囲む封止層を含む、接続スタッド構造。
IPC (3件):
G11B 5/17 ,  G11B 5/29 ,  G11B 5/31
FI (3件):
G11B 5/17 G ,  G11B 5/29 F ,  G11B 5/31 F
Fターム (14件):
5D033BA39 ,  5D033DA04 ,  5D033DA07 ,  5D054AA01 ,  5D054BA47 ,  5D054CA03 ,  5D054CA04 ,  5D054CA06 ,  5D054CA07 ,  5D093AA01 ,  5D093EC05 ,  5D093GA10 ,  5D093HA13 ,  5D093HA16

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