薄膜トランジスタアレイ基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-319431
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】表示品質の低下なしに、大画面で高精細な高開口率の液晶表示装置をうることができるTFTアレイ基板を提供する。【解決手段】透明な絶縁性基板と、複数のゲート配線7a、7bと、ゲート絶縁膜と、複数のソース配線3と、TFTと、画素電極11と、保護膜と、保持容量とを有してなるTFTアレイ基板であって、ソース配線3およびゲート電極2が、高融点金属膜がパターニングされることにより形成され、ゲート配線7a、7b、ソース電極8およびドレイン電極9が、低抵抗金属からなる単層膜または低抵抗金属の層を含む多層膜のうちの1つがパターニングされることにより形成され、画素電極11が保護膜上に形成され、ゲート電極2およびゲート配線7a、7bと、ソース電極8およびソース配線3と、画素電極11およびドレイン電極9とが、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板と、該絶縁性基板上に並設された複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜を介してゲート配線に交差する複数のソース配線と、ゲート配線およびソース配線の交差部に設けられた、ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を含んでなる薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極に接続された透明な導電膜からなる画素電極と、前記ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極上を覆う保護膜とを有してなる薄膜トランジスタアレイ基板であって、前記ソース配線およびゲート電極が、絶縁性基板上に堆積された高融点金属膜がパターニングされることにより形成され、前記ゲート配線、ソース電極およびドレイン電極が、ゲート絶縁膜上に堆積された低抵抗金属からなる単層膜および低抵抗金属の層を含む多層膜のうちの1つがパターニングされることにより形成され、前記画素電極が保護膜上に形成され、前記ゲート電極とゲート配線とが第1のコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記ソース電極とソース配線とが第2のコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極とドレイン電極とが第3のコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 623 A , H01L 29/78 627 C

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