高分子エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265774
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077669
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】高分子エレクトロルミネッセンス素子製造工程における高分子発光層表面の傷やゴミ付着、また、ピンホールやパターニング画素間の隙間を原因とする、素子のリークや短絡を防止する。【解決手段】基板上に少なくとも電極と高分子発光層と対向電極を積層してなる高分子エレクトロルミネッセンス素子において、高分子発光層と対向電極との間に絶縁保護層を設けることでパターニング不良などに起因する素子のリークや短絡を防止する。さらにはこの絶縁保護層を塗布法によって形成することで、生産性の高い巻き取り生産の可能な高分子EL素子の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも電極と高分子発光層と対向電極を積層してなる高分子エレクトロルミネッセンス素子において、高分子発光層と対向電極との間に絶縁保護層を設けたことを特徴とする高分子エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (4件)：

H05B 33/14 , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/22

FI (5件)：

H05B 33/14 B , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/22 D , H05B 33/22 Z

Fターム (10件)：

3K007AB07 , 3K007AB18 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EA02 , 3K007EB00 , 3K007FA01

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