特許

J-GLOBAL ID：200903029423525553

配線構造並びにその形成方法及び装置

発明者： 坂本 仁志 ,  大庭 義行 ,  八幡 直樹
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063064
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264158
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。【解決手段】 Cu板と基板3との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるCl2 ガスのプラズマによりCu板をエッチングすることによりCu成分とCl2 ガスとの前駆体であるCuClを形成し、この前駆体が基板3に吸着され、その後Cu成分を析出させることによりCuの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたCu膜をCl2 ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部3aにその底部から順にCu膜を積層してこの凹部3aにCuを埋め込んだ。

請求項（抜粋）：

基板に形成した溝及びホール等の凹部に金属膜を埋め込んで形成した配線構造であって、金属成分と原料ガスとの前駆体が基板に吸着され、その後金属成分が析出することにより当該金属の金属膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成された金属膜を原料ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部にその底部から順に金属膜を積層して形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/90 A

Fターム (46件)：

4K030AA02 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030FA04 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD16 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD65 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033LL06 ,  5F033LL08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033RR04 ,  5F033XX04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX13 ,  5F033XX33